硅电容

村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础(单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属)。
  • X2SC/XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列 支持100GHz+的表面封装硅电容器

  • UBDC系列 超宽带表面贴装型差分硅电容器对组

  • WASC系列 汽车应用 支持汽车引线键合的上下电极硅电容器

  • WBSC/WTSC/WXSC系列 最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器

  • WBSC/WTSC/WXSC系列 最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器

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